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Sony schlägt FinFET Transistoren auf Palladium vor

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Neue Methode und Apparat patentiert durch Sony Corporation

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Sony-Patentanfrage US20150029374 „Bild-Sensor, herstellenapparat und Methode und Darstellungapparat“ durch Yoshiaki Kitano schlägt einen zurück-belichteten Sensor vor, in dem mindestens einiges von SF, SEL und RST und sogar TG-Transistoren in eine Schicht gewachsen auf die Fotodiode - vielleicht ein lokales epi gelegt werden, obgleich Sony nicht dieses Wort verwendet. Die Transistoren sind FinFET-wie, Art von. Da FinFETs fast keine Masse haben, sollte der SF Gewinn viel näeher an Einheit sein und seine wirkungsvolle Gatterkappe sollte minimal sein. Der Palladium-Bereich kann zum fast vollständigen Pixelbereich erweitert werden:

Update: Während wir an den Sony-Nachrichten viele Mal diese Woche sind, veranschlägt WSJ Masahiro Ono, ein Analytiker Sicherheiten an den Morgan Stanley-MUFG und sagt „Sony? s-Bild-Sensoren sind das Beste in der Welt und sind mindestens vier Jahre vor ihren Konkurrenten.“ Wenn Sony erreicht, dieses FinFET Pixel in Produktion freizugeben, würde ich mit dem 4 Jahre voran Anspruch einverstanden sein.